Minúsculos transistores do MIT podem transformar eficiência energética de eletrônicos usando mecânica quântica

Tempo de leitura: 2 minutos
Por Bia Chacu
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Pequenos transistores luminosos em uma placa de circuito.

São PauloPesquisadores do MIT conseguiram um avanço importante no aumento da eficiência dos dispositivos eletrônicos ao desenvolver transistores extremamente pequenos, com apenas alguns nanômetros de largura. Essa inovação, baseada em novos entendimentos da mecânica quântica, busca superar as limitações atuais dos transistores de silício. Os transistores de silício enfrentam desafios físicos que impedem seu funcionamento em voltagens mais baixas, prejudicando sua eficiência energética. A equipe do MIT está tentando resolver esse problema utilizando materiais como antimônio de gálio e arseneto de índio na fabricação de seus minúsculos transistores.

Transistores em Nanoescala: A Próxima Fronteira Tecnológica

Esses transistores em nanoescala trazem numerosos benefícios:

  • Operam com tensões mais baixas em comparação com os transistores convencionais, aumentando a eficiência energética.
  • Seu design 3D vertical possibilita chips mais compactos e potentes.
  • Efeitos de tunelamento e confinamento quântico aprimoram seu desempenho.

Transistores desse tipo operam de maneira distinta dos tradicionais por utilizarem o tunelamento quântico. Esse mecanismo permite que elétrons atravessem barreiras ao invés de superá-las, tornando o processo de mudança entre os estados de ligado e desligado mais eficiente. Quando confinados em espaços extremamente pequenos, os elétrons apresentam um comportamento aprimorado, o que intensifica o tunelamento e aumenta a corrente elétrica, fator essencial para aplicações de alta velocidade.

Esta tecnologia nos permite integrar mais transistores em um único chip, aumentando assim a potência de processamento e acelerando os cálculos, algo essencial para a inteligência artificial. Em indústrias que exigem cálculos rápidos, como centros de dados e pesquisa científica, isso pode resultar em significativas melhorias em eficiência e desempenho.

Embora esses minúsculos transistores mostrem potencial, existem desafios para torná-los prontos para o mercado. Criar dispositivos tão pequenos—apenas alguns nanômetros de tamanho—exige um processo de fabricação extremamente preciso. Pequenas variações de tamanho podem alterar o comportamento dos elétrons e afetar o desempenho dos dispositivos. Pesquisadores do MIT estão se empenhando em melhorar seus métodos de produção para garantir que cada chip seja uniformemente fabricado.

Transistores baseados em tunelamento quântico podem um dia substituir o silício em muitos dispositivos eletrônicos. Eles prometem consumir menos energia e oferecer mais capacidade de processamento, o que poderia transformar aparelhos como smartphones e supercomputadores. Atualmente, a tecnologia é encontrada principalmente em laboratórios de pesquisa, mas essas pequenas inovações podem ser a chave para tornar a eletrônica mais eficiente no futuro.

O estudo é publicado aqui:

http://dx.doi.org/10.1038/s41928-024-01279-w

e sua citação oficial - incluindo autores e revista - é

Yanjie Shao, Marco Pala, Hao Tang, Baoming Wang, Ju Li, David Esseni, Jesús A. del Alamo. Scaled vertical-nanowire heterojunction tunnelling transistors with extreme quantum confinement. Nature Electronics, 2024; DOI: 10.1038/s41928-024-01279-w
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