초소형 트랜지스터가 전자기기의 에너지 효율 혁신 주도 가능성
SeoulMIT 연구진이 전자기기의 효율성을 높이기 위한 중요한 발전을 이루었습니다. 이들은 몇 나노미터 크기의 매우 작은 트랜지스터를 개발하였으며, 이는 양자 역학의 발전을 기반으로 합니다. 이러한 성과는 실리콘으로 만든 기존 트랜지스터의 한계를 넘어서는 것을 목표로 합니다. 실리콘 트랜지스터는 낮은 전압에서 작동하지 못해 에너지 효율성을 떨어뜨리는 물리적 문제를 가지고 있습니다. MIT 팀은 갈륨 안티모니드와 인듐 아세나이드 등의 재료를 사용하여 이 문제를 해결하려 하고 있습니다.
나노 규모의 트랜지스터는 여러 주요 이점을 제공합니다.
- 기존 트랜지스터보다 낮은 전압으로 작동하여 에너지 효율성을 향상시킵니다.
- 수직 3D 설계로 인해 더 작고 강력한 칩을 구현할 수 있습니다.
- 양자 터널링과 제한 효과가 성능을 더욱 강화합니다.
고속 트랜지스터의 혁신적 작동 방식
이 트랜지스터는 전통적인 방식과 다르게 양자 터널링을 활용합니다. 이 과정에서는 전자가 경계를 넘어가지 않고 통과함으로써, 더욱 효율적으로 기기를 켬 혹은 끔 상태로 전환할 수 있도록 돕습니다. 전자가 매우 좁은 공간에 제한될 때, 그들의 행동이 개선되어 터널링이 증대되고 전류가 증가합니다. 이는 고속 응용에 중요합니다.
이 기술은 단일 칩에 더 많은 트랜지스터를 장착할 수 있게 해 줍니다. 이는 처리 능력을 향상시키고 계산 속도를 높이며, 인공지능에 매우 중요한 요소입니다. 데이터 센터나 과학 연구와 같이 빠른 계산이 필요한 산업에서는 이 기술을 통해 효율성과 성능을 크게 향상시킬 수 있습니다.
이 초소형 트랜지스터들이 잠재력을 보이지만, 시장에 출시하기 위해서는 해결해야 할 장애물이 있습니다. 불과 몇 나노미터 크기의 소자를 제작하는 것은 매우 정밀한 제조 기술이 필수적입니다. 작은 크기의 차이가 전자의 동작에 영향을 미쳐 소자의 성능에 영향을 줄 수 있습니다. MIT 연구진은 각 칩이 동일하게 생산될 수 있도록 제조 방법을 개선하는 데 주력하고 있습니다.
양자 터널링 트랜지스터는 결국 많은 전자기기에서 실리콘을 대체할 수 있습니다. 이 기술은 에너지 소비를 줄이고 더 높은 컴퓨팅 성능을 제공할 것으로 기대되며, 이는 스마트폰과 슈퍼컴퓨터와 같은 기기들에 변화를 가져올 수 있습니다. 현재는 주로 연구소에서 사용되고 있지만, 이 작은 혁신들이 미래의 보다 효율적인 전자기기에 열쇠가 될 수 있습니다.
연구는 여기에서 발표되었습니다:
http://dx.doi.org/10.1038/s41928-024-01279-w및 그 공식 인용 - 저자 및 저널 포함 - 다음과 같습니다
Yanjie Shao, Marco Pala, Hao Tang, Baoming Wang, Ju Li, David Esseni, Jesús A. del Alamo. Scaled vertical-nanowire heterojunction tunnelling transistors with extreme quantum confinement. Nature Electronics, 2024; DOI: 10.1038/s41928-024-01279-w어제 · 오후 7:10
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