Winzige Transistoren versprechen Energieeffizienzrevolution in der Elektronik durch Entwicklungen in der Quantenmechanik
BerlinForscher am MIT haben einen bedeutenden Fortschritt erzielt, um Elektronik effizienter zu machen, indem sie winzige Transistoren entwickelt haben, die nur einige Nanometer breit sind. Dieser Durchbruch, basierend auf Entwicklungen in der Quantenmechanik, zielt darauf ab, die aktuellen Grenzen von Silizium-Transistoren zu überwinden. Silizium-Transistoren haben eine physikalische Hürde, die sie daran hindert, bei niedrigeren Spannungen zu funktionieren, was ihre Energieeffizienz verringert. Das MIT-Team versucht dieses Problem mit ihren winzigen Transistoren aus Materialien wie Galliumantimonid und Indiumarsenid zu lösen.
Nanoskalige Transistoren bieten mehrere entscheidende Vorteile:
- Sie funktionieren bei niedrigeren Spannungen als herkömmliche Transistoren, was die Energieeffizienz verbessert.
- Ihr vertikales 3D-Design ermöglicht kompaktere und leistungsstärkere Chips.
- Quanten-Tunneleffekte und -Einschränkungen steigern ihre Leistungsfähigkeit.
Diese Transistoren funktionieren anders als herkömmliche, da sie das Prinzip des Quantentunnelns nutzen. Bei diesem Prozess können Elektronen Barrieren durchdringen, anstatt sie zu überwinden. Dadurch kann das Gerät effizienter zwischen an und aus wechseln. Wenn Elektronen auf sehr kleine Räume beschränkt sind, verbessert sich ihr Verhalten, wodurch das Tunnelverhalten gefördert und der Strom erhöht wird, was für Anwendungen mit hoher Geschwindigkeit entscheidend ist.
Diese Technologie ermöglicht es, mehr Transistoren auf einem einzelnen Chip unterzubringen. Dadurch wird die Rechenleistung gesteigert und Berechnungen werden beschleunigt, was besonders für die künstliche Intelligenz von großer Bedeutung ist. In Branchen, die schnelle Berechnungen benötigen, wie Rechenzentren und wissenschaftliche Forschung, kann dies zu erheblichen Effizienz- und Leistungsverbesserungen führen.
Obwohl diese winzigen Transistoren Potenzial zeigen, gibt es Hürden, um sie marktreif zu machen. Die Herstellung solch kleiner Geräte – nur wenige Nanometer groß – erfordert extrem präzise Fertigung. Bereits geringfügige Größenunterschiede können das Verhalten von Elektronen verändern und die Leistungsfähigkeit der Geräte beeinträchtigen. Forscher am MIT arbeiten intensiv daran, ihre Produktionsmethoden zu verbessern, um die Gleichheit jedes Chips zu gewährleisten.
Quanten-Tunnel-Transistoren könnten in Zukunft Silizium in vielen elektronischen Geräten ersetzen. Sie versprechen einen geringeren Energieverbrauch und höhere Rechenleistung, was Geräte wie Smartphones und Supercomputer revolutionieren könnte. Derzeit sind sie hauptsächlich in Forschungslabors zu finden, aber diese winzigen Innovationen könnten der Schlüssel zu effizienteren Elektronikgeräten der Zukunft sein.
Die Studie wird hier veröffentlicht:
http://dx.doi.org/10.1038/s41928-024-01279-wund seine offizielle Zitation - einschließlich Autoren und Zeitschrift - lautet
Yanjie Shao, Marco Pala, Hao Tang, Baoming Wang, Ju Li, David Esseni, Jesús A. del Alamo. Scaled vertical-nanowire heterojunction tunnelling transistors with extreme quantum confinement. Nature Electronics, 2024; DOI: 10.1038/s41928-024-01279-wDiesen Artikel teilen