Des transistors minuscules pourraient transformer l'efficacité énergétique des appareils électroniques

Temps de lecture: 2 minutes
Par Madelaine Dupont
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Minuscules transistors lumineux sur une plaque de circuit.

ParisDes chercheurs du MIT ont réalisé une avancée majeure pour rendre l'électronique plus efficace en développant des transistors extrêmement petits, mesurant seulement quelques nanomètres de large. Cette innovation, reposant sur des découvertes en mécanique quantique, vise à dépasser les limites actuelles des transistors en silicium. Les transistors en silicium rencontrent une difficulté physique qui les empêche de fonctionner à des tensions plus basses, réduisant ainsi leur efficacité énergétique. L'équipe du MIT cherche à résoudre ce problème en utilisant des matériaux comme l'antimoniure de gallium et l'arséniure d'indium pour leurs minuscules transistors.

Transistors à l'échelle nanométrique :

  • Ils fonctionnent à des tensions plus basses que les transistors traditionnels, ce qui améliore l'efficacité énergétique.
  • Leur conception verticale 3D permet de créer des puces plus compactes et puissantes.
  • Les effets de tunnel quantique et de confinement renforcent leur performance.

Les transistors de ce type fonctionnent différemment des modèles traditionnels, car ils exploitent le phénomène de l'effet tunnel quantique. Ce mécanisme permet aux électrons de traverser des barrières au lieu de les contourner, facilitant ainsi le passage de l'état de marche à l'arrêt plus efficacement. En confinant les électrons dans des espaces très réduits, leur comportement s'améliore, ce qui amplifie l'effet tunnel et augmente le courant, un atout précieux pour des applications à haute vitesse.

Cette technologie nous permet d'intégrer davantage de transistors sur une seule puce. Cela augmente la puissance de traitement et accélère les calculs, ce qui est crucial pour l'intelligence artificielle. Pour les secteurs nécessitant des calculs rapides, tels que les centres de données et la recherche scientifique, cela peut entraîner d'importantes améliorations en termes d'efficacité et de performance.

Bien que ces minuscules transistors promettent un bel avenir, il existe des défis à relever avant de les rendre commercialisables. La fabrication de dispositifs aussi petits—à peine quelques nanomètres—nécessite une précision extrême. De légères variations de taille peuvent modifier le comportement des électrons et affecter les performances des dispositifs. Les chercheurs du MIT travaillent intensément à perfectionner leurs méthodes de production afin de garantir l'uniformité de chaque puce.

Les transistors à effet tunnel quantique pourraient à terme remplacer le silicium dans de nombreux appareils électroniques. Ils promettent de consommer moins d'énergie tout en augmentant la puissance de calcul, ce qui pourrait transformer des appareils tels que les smartphones et les superordinateurs. Bien qu'actuellement ces innovations soient principalement étudiées dans des laboratoires de recherche, elles pourraient être la clé pour des appareils plus performants à l'avenir.

L'étude est publiée ici:

http://dx.doi.org/10.1038/s41928-024-01279-w

et sa citation officielle - y compris les auteurs et la revue - est

Yanjie Shao, Marco Pala, Hao Tang, Baoming Wang, Ju Li, David Esseni, Jesús A. del Alamo. Scaled vertical-nanowire heterojunction tunnelling transistors with extreme quantum confinement. Nature Electronics, 2024; DOI: 10.1038/s41928-024-01279-w
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