量子力学で進化した極小トランジスタ、AI省エネ革命を加速
TokyoMITの研究者たちは、エレクトロニクスの効率を向上させるための重要な進歩を遂げ、小さな数ナノメートル幅のトランジスタを作り出しました。この成果は量子力学の発展に基づいており、シリコンで作られた従来のトランジスタの限界を超えることを目指しています。シリコン製トランジスタには、低電圧での動作が難しく、エネルギー効率が低下するという物理的な課題があります。MITのチームは、この問題をガリウム・アンチモンやインジウム・ヒ化物などの材料を用いた微細トランジスタで解決しようとしています。
これらのナノスケールのトランジスタにはいくつかの重要な利点があります:
- 通常のトランジスタよりも低い電圧で動作し、エネルギー効率が向上します。
- 垂直3D設計により、よりコンパクトで高性能なチップが可能になります。
- 量子トンネル効果と閉じ込め効果によってパフォーマンスが向上します。
これらのトランジスタは従来のものと異なり、「量子トンネリング」を利用します。この現象は、電子が障壁を乗り越えずに通り抜けることを可能にします。このため、デバイスのオンからオフへの切り替えがより効率的になります。電子が非常に小さな空間に制限されると、その動作が改善され、トンネリングが強化され、電流が増加します。これは高速用途において重要な要素となります。
この技術により、1つのチップにより多くのトランジスタを組み込むことが可能になります。これによって処理能力が向上し、計算が高速化され、人工知能の分野で非常に重要です。データセンターや科学研究など、迅速な計算が必要な業界において、大幅な効率化とパフォーマンスの向上が期待できます。
これらの極小トランジスタは可能性を秘めていますが、市場に出すまでには様々な課題があります。数ナノメートルサイズのデバイスを製造するには、非常に正確な加工技術が求められます。わずかなサイズの違いでも電子の振る舞いが変わり、デバイスの性能に影響を及ぼす可能性があります。MITの研究者たちは、各チップを同一にするために生産方法の改善に力を注いでいます。
量子トンネリング・トランジスタが描く、未来の省エネ電子機器
量子トンネリング・トランジスタは、将来的にシリコンを置き換え、電子機器の世界を変えるかもしれません。これらのトランジスタは、エネルギー消費を抑えながら計算能力を向上させることが期待されており、スマートフォンやスーパーコンピュータなどのデバイスに革命をもたらす可能性があります。今のところ主に研究室で使用されていますが、これらの小さな革新が将来のより効率的な電子機器の鍵となるかもしれません。
この研究はこちらに掲載されています:
http://dx.doi.org/10.1038/s41928-024-01279-wおよびその公式引用 - 著者およびジャーナルを含む - は
Yanjie Shao, Marco Pala, Hao Tang, Baoming Wang, Ju Li, David Esseni, Jesús A. del Alamo. Scaled vertical-nanowire heterojunction tunnelling transistors with extreme quantum confinement. Nature Electronics, 2024; DOI: 10.1038/s41928-024-01279-w2024年11月20日 · 13:04
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